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J-GLOBAL ID:201402212063369151   整理番号:13A1951267

効率的量子ドット増感太陽電池(QDSSC)用のCdS被覆を有する化学成長した垂直配列1D ZnOナノロッド:制御した合成経路

Chemically grown vertically aligned 1D ZnO nanorods with CdS coating for efficient quantum dot sensitized solar cells (QDSSC): a controlled synthesis route
著者 (4件):
資料名:
巻: 42  号: 48  ページ: 16961-16967  発行年: 2013年12月28日 
JST資料番号: A0270A  ISSN: 1477-9226  CODEN: DTARAF  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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量子ドット増感太陽電池(QDSSC)の開発を目指し,単純水性化学成長(ACG)技法により一次元ZnOナノロッドアレイを合成して逐次イオン層吸着と反応(SILAR)技法によってCdS量子ドット(QD)を用いZnOナノロッドを増感した。QD増感ZnOの光電気化学性能を用いSILARサイクルを最適化した。SILAR技法は室温費用対効果法を容易にしてQDの大規模製造に対する可能性を有している。また,この方法は二成分,三成分と同様に四成分材料のナノ構築物を仕様する上で有用である。この方法は室温で高品質の増感を調製するのに適切である。本研究においてCdS被覆ZnO試料光電極は1.61%の電力変換効率を示した。
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分類 (3件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
塩基,金属酸化物  ,  塩  ,  電池一般 

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