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J-GLOBAL ID：201402212769436552   整理番号：14A1360433

有機金属化学気相堆積を用いた(10-10)m面サファイア上へのGaNナノロッドの自己組織化成長

Self-assembled growth of inclined GaN nanorods on (10-10) m-plane sapphire using metal-organic chemical vapor deposition

著者 (6件)： CHAE Sooryong ,  LEE Kyuseung ,  JANG Jongjin ,  MIN Daehong ,  KIM Jaehwan ,  NAM Okhyun
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 409  ページ： 65-70  発行年： 2015年01月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属触媒を用いない有機金属化学気相堆積による(10-10)m面サファイア上への高配向性傾斜GaNナノロッドの自己組織化成長を報告する。成長機構を究明するために,成長挙動に及ぼすSiH₄流量,V/III比,成長温度および成長時間の効果に関する系統的な研究を行い,パラメータを最適化にするには,高アスペクト比のナノロッドの成長が必要であることが明らかになった。高分解能X線回折から,ナノロッドが基板に対して垂直に58.4°の角度で傾斜し,結果として,ナノロッドが,ナノロッドの軸上の面,(11-22)半極性面および(10-10)m面サファイアに対して,明確なエピタキシャル関係であることが明らかになった。最後に,カソードルミネッセンスから,Siドープナノロッドのバンド端近傍からの発光は,アンドープGaNと比較して,高いキャリア濃度に起因したバンドフィリング効果が生じるために,非対称で広域な発光スペクトルであることが明らかになった。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *MOCVD ,  基板 ,  サファイア ,  *窒化ガリウム ,  *ナノロッド ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *自己組織化 ,  基板温度 ,  アスペクト比 ,  X線回折 ,  *ヘテロエピタクシー ,  傾斜 ,  *陰極線ルミネセンス ,  キャリア密度 ,  *結晶方位

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： 有機金属化学 ,  気相堆積 ,  サファイア ,  GaN ,  ナノロッド ,  自己組織化 ,  成長