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J-GLOBAL ID：201402214425768141   整理番号：14A0290129

障壁層及び井戸層に対する異なる厚みでa-Si:H/a-SiGe:H超格子の無定形シリコン薄膜太陽電池の特性

Characteristics of Amorphous Silicon Thin-Film Solar Cells of a-Si:H/a-SiGe:H Superlattices in Different Thickness for Barrier and Well Layers

著者 (5件)： SON Won Ho (Kyungpook National Univ., Daegu, KOR) ,  LEE Sang Kwon (Kyungpook National Univ., Daegu, KOR) ,  MOON Young Soon (Kyungpook National Univ., Daegu, KOR) ,  LEE Tae Yong (Kyungpook National Univ., Daegu, KOR) ,  CHOI Sie Young (Kyungpook National Univ., Daegu, KOR)
資料名： Molecular Crystals and Liquid Crystals  (Molecular Crystals and Liquid Crystals)
巻： 586  ページ： 565-572  発行年： 2013年 
JST資料番号： B0877A  ISSN： 1542-1406  CODEN： MCLCE9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 水素化無定形シリコン(a-Si:H)/水素化シリコン-ゲルマニウム(a-SiGe:H)超格子をSiH₄,GeH₄及びH₂の混合物を用いて13.56MHzプラズマ増強化学蒸着法により析出させた。これらのa-Si:H及びa-SiGe:Hを超格子構造の障壁材料及び井戸材料として用い,障壁層厚みを変化させることによって光学的バンドギャップを制御した。a-Si:H厚み2~10nmの範囲でa-Si:H/a-SiGe:H超格子薄膜の光学的バンドギャップ(1.57~1.65eV)はa-Si:H(1.78eV)より低かった。a-Si:H(2nm)/a-SiGe:H(6nm)超格子を真性層とするpin型a-Si:H太陽電池は一般的なpin型a-Si:Hに基づく太陽電池より高い4.52%の変換効率を達成した。さらにこれは井戸中の適切な量子サイズ効果により最高の22.01mA/cm²の短絡電流密度を有していた。

シソーラス用語： *太陽電池 ,  アモルファスシリコン ,  水素化物 ,  半導体材料 ,  *超格子 ,  プラズマCVD ,  バンドギャップ ,  エネルギー変換効率 ,  電流密度 ,  PIN接合
準シソーラス用語： *a-Si太陽電池 ,  シリコンゲルマニウム ,  水素化アモルファスシリコン ,  短絡電流密度

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (9件)： 障壁層 ,  井戸層 ,  厚み ,  Si ,  SiGe ,  超格子 ,  無定形 ,  シリコン ,  薄膜太陽電池