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J-GLOBAL ID：201402215122902020   整理番号：14A0885650

抵抗ランダムアクセスメモリの最近の進歩 材料,スイッチング機構,および性能

Recent progress in resistive random access memories: Materials, switching mechanisms, and performance

著者 (5件)： PAN F. ,  GAO S. ,  CHEN C. ,  SONG C. ,  ZENG F.
資料名： Materials Science & Engineering. R. Reports  (Materials Science & Engineering. R. Reports)
巻： 83  ページ： 1-59  発行年： 2014年09月 
JST資料番号： T0341A  ISSN： 0927-796X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本レビュー記事では,抵抗ランダムアクセスメモリ(RRAM)の最近の進歩を包括的にレビューした。まず,簡単な序論で,RRAMの構成と進展,不揮発性メモリ,革新的コンピューティングおよび論理デバイスの分野における,それらの幅広い応用の可能性,および過去10年間のRRAMに関する研究に焦点をおいて記述した。第二に,RRAMで使用する無機および有機材料のまとめを行い,それぞれの利点と欠点を議論した。第三に,重要なスイッチング機構について詳しく議論し,イオンマイグレーション,電荷捕獲/離脱,熱化学反応,無機物に独特の機構,および有機物に独特の機構に分類した。第四に,データ蓄積用RRAMの応用に注目し,現在の性能,性能向上のための方法,スニークパス問題と考えられる解決策,および2Dおよび3Dクロスバーアレイの実証を含む。第五に,RRAMの論理デバイスと多機能性だけでなく革新的コンピューティングにおけるRRAMの見込みある応用について包括的にまとめ,徹底的に議論した。本解説記事は,RRAMの課題と将来展望に関する短い議論で終える。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  スイッチング ,  *不揮発性メモリ ,  論理素子 ,  マイグレーション【化学物質】 ,  キャリア捕獲 ,  熱化学反応 ,  データ蓄積 ,  回路部品 ,  機能材料 ,  状態 ,  *記憶素子 ,  電気抵抗 ,  レイアウト ,  *集積回路 ,  イオンマイグレーション ,  *抵抗スイッチング ,  電荷捕獲 ,  *抵抗変化メモリ
準シソーラス用語： *ReRAM ,  *RRAM ,  *クロスバーアレイ ,  メモリスタ ,  集積回路レイアウト ,  *抵抗メモリ ,  *抵抗ランダムアクセスメモリ ,  離脱 ,  論理デバイス

分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  記憶装置  (JC04060F)

タイトルに関連する用語 (2件)： 抵抗ランダムアクセスメモリ ,  スイッチング