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J-GLOBAL ID：201402216703112883   整理番号：14A0951115

Ge_1-xSn_xの直接及び間接バンドギャップの間の光学遷移の競合

Competition of optical transitions between direct and indirect bandgaps in Ge_1-xSn_x

著者 (11件)： DU Wei (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Arkansas, Fayetteville, Arkansas 72701, USA) ,  GHETMIRI Seyed A. (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Arkansas, Fayetteville, Arkansas 72701, USA) ,  CONLEY Benjamin R. (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Arkansas, Fayetteville, Arkansas 72701, USA) ,  MOSLEH Aboozar (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Arkansas, Fayetteville, Arkansas 72701, USA) ,  NAZZAL Amjad (Electrical Engineering and Physics Dep., Wilkes Univ., Wilkes-Barre, Pennsylvania 18766, USA) ,  SOREF Richard A. (Dep. of Physics, Univ. of Massachusetts Boston, Boston, Massachusetts 02125, USA) ,  SUN Greg (Dep. of Physics, Univ. of Massachusetts Boston, Boston, Massachusetts 02125, USA) ,  TOLLE John (ASM, 3440 East Univ. Drive, Phoenix, Arizona 85034, USA) ,  MARGETIS Joe (ASM, 3440 East Univ. Drive, Phoenix, Arizona 85034, USA) ,  NASEEM Hameed A. (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Arkansas, Fayetteville, Arkansas 72701, USA) ,  YU Shui-qing (Dep. of Electrical Engineering, Univ. of Arkansas, Fayetteville, Arkansas 72701, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 105  号： 5  ページ： 051104-051104-4  発行年： 2014年08月04日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： バンドギャップ ,  光ルミネセンス ,  スズ含有合金 ,  *ゲルマニウム合金 ,  *電子遷移 ,  *発光スペクトル ,  温度依存性 ,  半導体材料 ,  間接バンドギャップ ,  *光学遷移 ,  直接バンドギャップ

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (3件)： 間接バンドギャップ ,  光学遷移 ,  競合