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J-GLOBAL ID：201402216975653310   整理番号：14A0609107

二カルコゲン化物単層内の電気的に可変なpnダイオードを用いたオプトエレクトロニクス素子

Optoelectronic devices based on electrically tunable p-n diodes in a monolayer dichalcogenide

著者 (4件)： BAUGHER Britton W. H. (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA) ,  CHURCHILL Hugh O. H. (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA) ,  YANG Yafang (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA) ,  JARILLO-HERRERO Pablo (Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA)
資料名： Nature Nanotechnology  (Nature Nanotechnology)
巻： 9  号： 4  ページ： 262-267  発行年： 2014年04月 
JST資料番号： W2059A  ISSN： 1748-3387  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： フレキシブルでウエアラブルな次世代光検出素子や光起電素子などのオプトエレクトロニクス材料の開発が盛んである。その候補物質のなかで,直接バンドギャップを持つ二セレン化タングステン(WSe₂)薄膜のような遷移金属カルコゲン化物が最近注目されている。本研究では,WSe₂単原子層を用いた両極性pn接合の作製とその電気的光学的特性について報告する。この素子の2つの電気的にチューナブルなゲート構造により,電気的にpnおよびnpダイオードを切り替えられる素子を実現できた。光励起下での光検出性能と光電変換効率を求めた。さらに,この素子を発光ダイオードとして用いることも可能であることを実証した。

シソーラス用語： PN接合 ,  ダイオード ,  *固体素子 ,  化合物半導体 ,  極性 ,  効率 ,  発光ダイオード ,  *セレン化物 ,  *タングステン化合物
準シソーラス用語： *オプトエレクトロニクス素子 ,  両極性 ,  光電変換効率 ,  *セレン化タングステン

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： カルコゲン化物 ,  単層 ,  PN ,  ダイオード ,  オプトエレクトロニクス素子