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J-GLOBAL ID：201402217418652498   整理番号：14A1475551

垂直整列カーボンナノチューブ上に成長した高い表面積のダイヤモンド状炭素電極

High surface area diamond-like carbon electrodes grown on vertically aligned carbon nanotubes

著者 (7件)： ZANIN H. (School of Chemistry, Univ. of Bristol, Cantocks Close, Bristol BS8 1TS, GBR) ,  ZANIN H. (National Inst. for Space Res., Av. dos Astronautas 1758, Sao Jose dos Campos 12227-010, SP, BRA) ,  MAY P.w. (School of Chemistry, Univ. of Bristol, Cantocks Close, Bristol BS8 1TS, GBR) ,  HARNIMAN R.l. (School of Chemistry, Univ. of Bristol, Cantocks Close, Bristol BS8 1TS, GBR) ,  RISBRIDGER T. (School of Chemistry, Univ. of Bristol, Cantocks Close, Bristol BS8 1TS, GBR) ,  CORAT E.j. (National Inst. for Space Res., Av. dos Astronautas 1758, Sao Jose dos Campos 12227-010, SP, BRA) ,  FERMIN D.j. (School of Chemistry, Univ. of Bristol, Cantocks Close, Bristol BS8 1TS, GBR)
資料名： Carbon  (Carbon)
巻： 82  ページ： 288-296  発行年： 2015年02月 
JST資料番号： H0270B  ISSN： 0008-6223  CODEN： CRBNA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 垂直整列多層カーボンナノチューブ(VACNTs)の密充填フォレスト上へのプラズマ増強化学蒸着(CVD)によって,高い比表面積を特徴とする電気化学活性なダイヤモンド状炭素(DLC)電極を調製した。DLC:VACNT複合膜は,CNT配列上でのDLCの部分的合体によって発生した織物状の特徴と尾根を有する複雑な形態を示す。DLC:VACNT電極は,大きい電位窓上の低バックグランド応答と低い無補償抵抗と共に,レドックスプローブとしてのフェロシアニドの存在で低い電荷移動インピーダンスを示す。DLC:VACNT電極に関連する界面キャパシタンスは0.6mFcm^-2の範囲にあり,通常の平坦な炭素電極より2桁大きい値である。同じ条件の下で単結晶Si(100)に成長したDLC膜は本質的絶縁層をもたらした。実験の結果は,増高した電気化学応答がCNT担体が電解質溶液に露出される領域に関連しないことを示す。DLC膜の成長の間にドーパントが全く含まれないと考えると,これは目立つ挙動である。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *炭素電極 ,  電極材料 ,  C/C複合材料 ,  *多層カーボンナノチューブ ,  アレイ ,  プラズマCVD ,  *ダイヤモンド状炭素 ,  DLC膜 ,  複合膜 ,  膜電極 ,  電気化学的挙動 ,  キャラクタリゼーション ,  静電容量 ,  インピーダンス ,  電流電圧特性

分類 (2件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  電解装置  (XE02030E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 垂直整列 ,  カーボンナノチューブ ,  成長 ,  表面積 ,  ダイヤモンド状炭素