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J-GLOBAL ID：201402218902215457   整理番号：14A1500252

SSDの書き込み特性の理論的解析

Theoretical Write Amplification Analysis of the SSD

著者 (3件)： 菅野伸一 (東芝 セミコンダクター&ストレージ社) ,  矢尾浩 (東芝 セミコンダクター&ストレージ社) ,  橋本大輔 (TOSHIBA America Electronic Components, Inc., CA, USA)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 114  号： 242(CPSY2014 47-53)  ページ： 25-30  発行年： 2014年10月03日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本稿ではNAND型フラッシュメモリを用いたSSDにおいて,ランダムなアドレス順の書き込みに対しNAND型フラッシュメモリの寿命と平均書き込み速度を最大にするためのガベージコレクションを含むメモリ管理手法について述べる。また,この手法を用いた場合のNAND型フラッシュメモリのブロックサイズ,ページサイズやSSD内に設けるガベージコレクションのためのNAND型フラッシュメモリ上の余裕領域量,書き込むデータの粒度とNAND型フラッシュメモリの消耗の指標である書き込み倍率(Write Amplification)と平均書き込み速度の関係について述べ,その理論的な限界を明らかにする。また,書き換え頻度の低いコールドデータが存在する場合の書き込み倍率を抑制する構成についても述べる。(著者抄録)

シソーラス用語： *駆動機構 ,  フラッシュメモリ ,  寿命 ,  ガーベジコレクション ,  *解析 ,  計算機シミュレーション ,  記憶管理 ,  NANDフラッシュメモリ ,  計算機利用 ,  利用
準シソーラス用語： *SSD ,  コンピュータシミュレーション ,  メモリ管理 ,  *理論解析

分類 (2件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

引用文献 (6件)：

• "Analytic Modeling of SSD Write Performance", Peter Desnoyers: ACM SYSTOR 12 Haifa, Israel
• "Write Amplification Analysis in Flash-Based Solid State Drives″, Xiao-yu Hu, Evangelos Eleftheriou, Robert Haas, Ilias Iliadis, Roman Pletka: ACM SYSTOR 09 Haifa, Israel
• "The Fundamental Limit of Flash Random Write Performance", X.-Y. Hu, R. Haas: 03/31/2010 IBM research report
• "NAND型フラッシュメモリ", 株式会社東芝, http://www.semicon.toshiba.co.jp/product/memory/nand/
• "LBA Count for Disk Drives Standard", IDEMA: IDEMA Standard LBA 1-03

タイトルに関連する用語 (4件)： SSD ,  書き込み ,  理論 ,  解析