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J-GLOBAL ID:201402219167302266   整理番号:14A1010269

ポリジメチルシロキサン版による塗布型有機薄膜トランジスタの作製評価

Solution-Processed Organic Thin-Film Transistors Printed by Using a Polydimethylsiloxane Stamp
著者 (2件):
資料名:
巻: 114  号: 134(OME2014 31-36)  ページ: 27-30  発行年: 2014年07月03日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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ポリジメチルシロキサン(PDMS)版による転写技術を用いて,p型およびn型有機半導体薄膜をポリマー絶縁膜上に転写し,塗布型有機薄膜トランジスタ(TFT)およびCMOSインバータを作製した。p型半導体としてオリゴチオフェン誘導体(BHD6T),n型半導体としてフラーレン誘導体(C60MC12)を用いた。飽和領域から算出した電界効果移動度および閾値電圧は,pチャネルでは0.02cm2/Vs,-24.6V,nチャネルでは0.17cm2/Vs,43.8Vであった。インバータ特性を評価したところ,ヒステリシスの小さい良好な反転特性が得られ,ゲインは最大で56を示した。(著者抄録)
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分類 (1件):
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トランジスタ 
引用文献 (13件):
タイトルに関連する用語 (4件):
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