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J-GLOBAL ID：201402219800617085   整理番号：14A0567103

ワイドバンドギャップ半導体デバイスの調査

A Survey of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices

著者 (5件)： MILLAN Jose (Universitat Autonoma de Barcelona, Barcelona, ESP) ,  GODIGNON Philippe (Universitat Autonoma de Barcelona, Barcelona, ESP) ,  PERPINA Xavier (Universitat Autonoma de Barcelona, Barcelona, ESP) ,  PEREZ-TOMAS Amador (Universitat Autonoma de Barcelona, Barcelona, ESP) ,  REBOLLO Jose (Universitat Autonoma de Barcelona, Barcelona, ESP)
資料名： IEEE Transactions on Power Electronics  (IEEE Transactions on Power Electronics)
巻： 29  号： 5  ページ： 2155-2163  発行年： 2014年05月 
JST資料番号： D0211B  ISSN： 0885-8993  CODEN： ITPEE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 現在のパワーデバイスの多くはSi技術を使っているが,遮断電圧,動作電圧やスイッチング周波数などに限界がある。これに対して,SiCやGaNは優れた性能を示し,材料も入手しやすいなどワイドバンドギャップ半導体デバイスとして大きな改善の可能性を持っている。本稿では,SiC系およびGaN系パワーデバイスの最近の進歩と技術動向についてレビューした。高電圧,高温度ダイオードを含む最新のSiCデバイス,JFETs,MOSFETs,サイリスタ,IGBTsおよびGaN系ダイオード,HEMTs,およびMOSFETsについて文献調査結果を報告した。

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  バンドギャップ ,  半導体素子 ,  パワーエレクトロニクス ,  周波数 ,  *炭化ケイ素 ,  *窒化ガリウム ,  高電圧 ,  高温 ,  接合形FET ,  サイリスタ ,  IGBT ,  MOSFET ,  HEMT
準シソーラス用語： GaN ,  JFET ,  SiC ,  スイッチング周波数 ,  パワーデバイス ,  *ワイドバンドギャップ半導体 ,  技術動向 ,  高温度

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  生産に関する一般問題  (NA01060I)

タイトルに関連する用語 (2件)： ワイドバンドギャップ半導体 ,  調査