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J-GLOBAL ID：201402221280056985   整理番号：14A0182874

数層のWS₂膜をベースとした光センサーデバイス

Photosensor Device Based on Few-Layered WS₂ Films

著者 (15件)： PEREA-LOPEZ Nestor (Pennsylvania State Univ., PA, USA) ,  ELIAS Ana Laura (Pennsylvania State Univ., PA, USA) ,  BERKDEMIR Ayse (Pennsylvania State Univ., PA, USA) ,  CASTRO-BELTRAN Andres (Pennsylvania State Univ., PA, USA) ,  GUTIERREZ Humberto R. (Univ. Louisville, KY, USA) ,  FENG Simin (Pennsylvania State Univ., PA, USA) ,  LV Ruitao (Pennsylvania State Univ., PA, USA) ,  HAYASHI Takuya (Shinshu Univ., Nagano, JPN) ,  LOPEZ-URIAS Florentino (Pennsylvania State Univ., PA, USA) ,  GHOSH Sujoy (Southern Illinois Univ. Carbondale, IL, USA) ,  MUCHHARLA Baleeswaraiah (Southern Illinois Univ. Carbondale, IL, USA) ,  TALAPATRA Saikat (Southern Illinois Univ. Carbondale, IL, USA) ,  TERRONES Humberto (Pennsylvania State Univ., PA, USA) ,  TERRONES Mauricio (Shinshu Univ., Nagano, JPN) ,  TERRONES Mauricio (Pennsylvania State Univ., PA, USA)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 23  号： 44  ページ： 5511-5517  発行年： 2013年11月26日 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 遷移金属二硫化物は層状構造を持ち,その単層膜はバルクとは異なる特性を示す。本研究では,WS₂数層膜を石英基板上に化学気相堆積法で堆積し,光センサーを作製することに成功した。膜の構造をラマン分光法,原子間力顕微鏡,走査電子顕微鏡および高分解能透過電子顕微鏡により評価した。10層までの膜が得られ,UV-vis吸収スペクトルにはAおよびB励起子に対応する1.95および2.33eVに吸収ピークを示した。Au/Ti電極を用い電流-電圧曲線を評価した。また,457から647nmまでの間の5つの異なる波長のレーザー光照射下の光電流の測定を行った。その結果,光電流は照射光波長に強く依存し,照射強度の平方根に比例する非線形性を示した。

シソーラス用語： *光センサ ,  エレクトロセラミック ,  *タングステン化合物 ,  硫化物 ,  多分子層 ,  製膜 ,  化学蒸着 ,  光照射 ,  光電流 ,  電流電圧特性 ,  非線形性

分類 (2件)： 分析機器  (CC02020S) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (1件)： 光センサー