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J-GLOBAL ID:201402221597895770   整理番号:14A0689024

W/WN多層を用いたW薄膜の応力制御

Stress control of sputtered W film using W/WN multilayer
著者 (6件):
資料名:
巻: 547  ページ: 216-221  発行年: 2013年11月29日 
JST資料番号: B0899A  ISSN: 0040-6090  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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予防保全の機会を減らし生産性の強化の目的で,タングステン スパッタ堆積システムのチャンバー壁上へタングステンとタングステン窒化物ペースト層を形成することは,非常に重要である。この研究で,反応スパッタ施設の最適の使用条件を探すため,ガス組成と操作圧力の変更を利用してWとWN薄膜の両方の応力レベルを制御した。W薄膜の応力は,堆積の間,動作圧力を減少させることで張力から圧縮まで変わった。そして,WN薄膜は圧縮応力を示した。これはN2/Ar比率を上昇させることで線形挙動に従う。しばしば金属ゲートに適用されるスパッタ堆積タングステン薄膜はしばしば~2000MPaの高い引張応力を示した。実験データに基づいて,いろいろな応力レベルの積層W/WN薄膜が着実に堆積することがわかり,そして,これらの薄膜の粘着力の安定性をかすり傷テスターで定量的に測定した。この粘着力テストから,最適化したW/WN多層スタックがW層の引張応力を補償することによって持続的に維持されることを観察し。そして,これは薄膜の層間剥離を抑える。上記の実験観察した事実に基づきチャンバー汚染となる,粒子生成を抑えることができたそして,このように,プロセス・チャンバーの非停止使用の期間をのばすことによって,生産性を改善した。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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分類 (1件):
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薄膜成長技術・装置 
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