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J-GLOBAL ID：201402222266496294   整理番号：14A0173234

Al/TiO_x/銅構造の抵抗スイッチングにおける二段階リセット

Two-Step Reset in the Resistance Switching of the Al/TiO_x/Cu Structure

著者 (13件)： SHAO Xing L. (Tianjin Univ. Technol., Tianjin, CHN) ,  ZHAO Jin S. (Tianjin Univ. Technol., Tianjin, CHN) ,  ZHANG Kai L. (Tianjin Univ. Technol., Tianjin, CHN) ,  CHEN Ran (Tianjin Univ. Technol., Tianjin, CHN) ,  SUN Kuo (Tianjin Univ. Technol., Tianjin, CHN) ,  CHEN Chang J. (Tianjin Univ. Technol., Tianjin, CHN) ,  LIU Kai (Tianjin Univ. Technol., Tianjin, CHN) ,  ZHOU Li W. (Tianjin Univ. Technol., Tianjin, CHN) ,  WANG Jian Y. (Tianjin Univ. Technol., Tianjin, CHN) ,  MA Chen M. (Tianjin Univ. Technol., Tianjin, CHN) ,  YOON Kyung J. (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  HWANG Cheol S. (Tianjin Univ. Technol., Tianjin, CHN) ,  HWANG Cheol S. (Seoul National Univ., Seoul, KOR)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 5  号： 21  ページ： 11265-11270  発行年： 2013年11月13日 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多くの酸化物及び非酸化物材料における電子抵抗スイッチングは,次世代不揮発性ランダムアクセスメモリ,及び,ニューロモルフィック計算のような他の応用のために多くの注目を集めている。ここでは,頂部Al/TiO_x/底部Cu構造の抵抗スイッチング特性における二段階リセット挙動を研究した。エレクトロフォーミングとセット段階中に,Alが負にバイアスされた時,Cuと酸素空孔からなる二つのタイプの伝導フィラメント(CF)(Cu-CFおよびV_O-CF)が同時に(または連続して)形成された。その後の逆バイアス極性のリセット段階では,Cu-CFは最初~0.5Vで断線し,そして,中間状態を形成した。トラップが満たされたV_O-CFは,トラップが空の状態に転換した。結果として,~1Vで高抵抗状態になった。電気化学金属化セル内のマトリックス相は抵抗スイッチングに能動的な役割を果たすことができる。

シソーラス用語： *スイッチング ,  *電気抵抗 ,  *多層構造 ,  アルミニウム ,  酸化チタン ,  銅 ,  電流電圧特性 ,  空格子点 ,  フィラメント
準シソーラス用語： 酸素空孔 ,  抵抗スイッチング

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (6件)： Al ,  TiOx ,  銅 ,  抵抗スイッチング ,  段階 ,  リセット