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J-GLOBAL ID：201402223369669967   整理番号：14A0371511

熱拡散法によるn型シリコン太陽電池のエミッタ層設計

著者 (6件)： 原田顕 (明治大) ,  中村京太郎 (明治大) ,  倉知郁生 (D&S) ,  吉岡献太郎 (天谷製作所) ,  池野成裕 (明治大) ,  小椋厚志 (明治大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 61st  ページ： ROMBUNNO.19P-E12-12  発行年： 2014年03月03日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *太陽電池 ,  エネルギー変換効率 ,  *ケイ素 ,  N型半導体 ,  エミッタ【半導体】 ,  *熱拡散 ,  多層膜 ,  回路設計 ,  PN接合 ,  ホウ素 ,  化学蒸着 ,  固体内拡散
準シソーラス用語： *シリコン太陽電池

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 熱拡散法 ,  N型シリコン ,  太陽電池 ,  エミッタ層 ,  設計