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J-GLOBAL ID：201402223716814255   整理番号：14A0052720

SiC単結晶スライス上のクラスタ磁気流動学的効果平面研磨

Cluster Magnetorheological Effect Plane Polishing on SiC Single Crystal Slice

著者 (6件)： Pan Jisheng (Guangdong Univ. of Technol., Guangzhou) ,  Yan Qiusheng (Guangdong Univ. of Technol., Guangzhou) ,  Xu Xipeng (Engineering Res. Center for Brittle Materials Machining,Huaqiao Univ., Fujian, Xiamen) ,  Tong Heping (Guangdong Univ. of Technol., Guangzhou) ,  Zhu Jiangting (Guangdong Univ. of Technol., Guangzhou) ,  Bai Zhenwei (Guangdong Univ. of Technol., Guangzhou)
資料名： Zhongguo Jixie Gongcheng  (Zhongguo Jixie Gongcheng)
巻： 24  号： 18  ページ： 2495-2499  発行年： 2013年 
JST資料番号： C2243A  ISSN： 1004-132X  CODEN： ZJGOE8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： クラスタ磁気流動学的効果の超平滑平面研磨理論とその試験装置をSiC単結晶の平面研磨過程に適用した。結果はダイヤモンド研磨剤がSiC単結晶スライスに対して優れた研磨効果があることを示した。1.4mm以内の作業間隙値は,優れた機械加工結果を得ることができた。そしてそれは30分以内で,表面粗さ減少の87%以上を得た。また,表面粗さは,仕上時間を延長することによってより小さくなった。表面粗さ減少の86.4%は,30分で成し遂げられた。仕上時間を延長しても表面粗さは安定傾向があった。最後に,クラスタ磁気流動学的効果試験装置を使用し上記のプロセスパラメータ最適化により2インチの6H-SiC単結晶スライスを研磨した。工程の前後にスライスの三次元形態と表面粗さを測定するために原子間力顕微鏡法を使用することにより,表面粗さRaが30分後に72.89nmから1.9nmの下がることがわかった。そしてそれはSiC単結晶を研磨するためにクラスタ磁気流動学的効果平面研磨試験装置を使用することが実行可能であり,結果が明らかであることを証明した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  単結晶 ,  クラスタ ,  *研磨 ,  磁気 ,  機械工作 ,  表面粗さ
準シソーラス用語： SiC ,  機械加工

分類 (1件)： 研削  (QC03000R)

タイトルに関連する用語 (7件)： SiC ,  単結晶 ,  スライス ,  クラスタ ,  磁気 ,  流動 ,  平面研磨