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J-GLOBAL ID：201402224182919184   整理番号：14A0033621

多結晶質シリコンのナノ秒パルスレーザ損傷特性に及ぼす波長の効果の研究

A Different Wavelength of Nanosecond Pulse Laser Damage Characteristics of Polycrystalline Silicon Research

著者 (8件)： Han Zhenchun (School of Techtronic Engineering,Wenzhou Univ., Zhejiang, Wenzhou) ,  Xue Wei (School of Techtronic Engineering,Wenzhou Univ., Zhejiang, Wenzhou) ,  Feng Aixin (School of Techtronic Engineering,Wenzhou Univ., Zhejiang, Wenzhou) ,  Sun Tietun (Changzhou Million Crystal Photoelectric Technol. Co.,LTD., Jiangsu, Changzhou) ,  Shi Feng (School of Techtronic Engineering,Wenzhou Univ., Zhejiang, Wenzhou) ,  Li Bin (School of Techtronic Engineering,Wenzhou Univ., Zhejiang, Wenzhou) ,  Lu Yi (School of Mechanical Engineering,Jiangsu Univ., Jiangsu, Zhenjiang) ,  Yang Run (School of Mechanical Engineering,Jiangsu Univ., Jiangsu, Zhenjiang)
資料名： Yingyong Jiguang  (Yingyong Jiguang)
巻： 33  号： 3  ページ： 313-317  発行年： 2013年 
JST資料番号： C2473A  ISSN： 1000-372X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 太陽光発電システムで共通に利用されている構造材料として多結晶質シリコンが注目されている。レーザ波長と多結晶質シリコンとの相互作用機構を研究するために,波長532nmと1064nmの単一パルスレーザを多結晶質シリコン表面に照射した。表面アブレーション形態を光学顕微鏡法で観測し,異なるレーザエネルギー密度下で解析した。1064nmのレーザ波長では,材料表面の亀裂発生の物理的機構を探索した。最初に,アブレーション領域は指数関数的に分布し,レーザエネルギー密度の増大で線形分布にフィッティングすることが分かった。532nmの波長では,アブレーション領域が線形であった。熱応力はスポットの中心で最大であり,Gaussレーザ照射により応力損傷が弱くなった。二波長レーザ照射の多結晶質シリコンでの損傷機構が熱溶解損傷であった。解離損傷は過渡熱衝撃に起因した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： *ポリシリコン ,  エネルギー密度 ,  近似法 ,  パルスレーザ ,  光学顕微鏡法 ,  *レーザ照射 ,  *レーザ損傷 ,  太陽光発電 ,  ナノ秒 ,  波長依存性 ,  レーザアブレーション ,  *太陽電池 ,  熱応力
準シソーラス用語： フィッティング【近似法】 ,  *多結晶質シリコン ,  太陽光発電システム

分類 (2件)： レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 多結晶質シリコン ,  ナノ秒パルスレーザ ,  損傷 ,  波長 ,  研究