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J-GLOBAL ID：201402224223628084   整理番号：14A0141406

AlGaN/GaN HEMTの陽子照射のモデリング: 臨界電圧増加の解明

Modeling Proton Irradiation in AlGaN/GaN HEMTs: Understanding the Increase of Critical Voltage

著者 (7件)： PATRICK Erin (Univ. Florida, FL, USA) ,  LAW Mark E. (Univ. Florida, FL, USA) ,  LIU Lu (Univ. Florida, FL, USA) ,  CUERVO Camilo Velez (Univ. Florida, FL, USA) ,  XI Yuyin (Univ. Florida, FL, USA) ,  REN Fan (Univ. Florida, FL, USA) ,  PEARTON Stephen J. (Univ. Florida, FL, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 60  号： 6,Pt.1  ページ： 4103-4108  発行年： 2013年12月 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNに基づく高電子移動度トランジスタ(HEMT)は広帯域データ伝送などの衛星通信系などの宇宙用途に有望である。本研究では,AlGaN/GaN HEMTの実験で観測されとピット形欠陥の形成軽減と臨界電圧上昇の基礎をなす機構をモデリングを通して調べた。Poissonドリフト拡散有限要素ソルバ(FLOOD TCAD)を用いて照射損傷が電場に及ぼす影響をシミュレーションした。窒化物/AlGaN界面における負の捕獲電荷は仮想ゲート効果を誘起し,ゲート端で電場を低下させることを提唱した。

シソーラス用語： 陽子照射 ,  モデリング ,  窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  *臨界電圧 ,  *HEMT ,  有限要素法 ,  拡散 ,  計算機シミュレーション ,  *照射損傷 ,  ゲート【半導体】 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物
準シソーラス用語： ドリフト拡散 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  デバイスシミュレーション

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  陽子照射 ,  モデリング ,  臨界電圧