抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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セレンは温度ないし圧力によって誘起される半導体-金属転移を示す。いくつかの多形構造のうち,室温,大気圧下でのもっとも安定な構造は三方晶系セレン(t-Se)である。本研究ではt-Seのバンドギャップに対する鎖間相互作用の役割を平面波密度汎関数理論の枠内で隔離Se鎖(IC-Se)のBloch軌道の線形結合(LCBO)を用いた近似の範囲で理論的に検討した。LCBOを用いることにより,異方性鎖間結合が孤立電子対バンドからσ
*バンドへの電荷移動相互作用によって形成され,バンドギャップは反発相互作用が大きく,電荷移動相互作用が最小である逆空間に位置していることが明らかになった。バンドギャップに対応するバンド軌道に寄与する鎖間相互作用は,隣接する鎖間の軌道間相互作用によって解釈され,t-Seのヘキサゴナル対称性のBrillouinゾーンにおける3回螺旋構造のIC-Seの軌道間の重なりを考えることにより理解できた。