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J-GLOBAL ID：201402224887476486   整理番号：14A0011854

酸素イオンを注入した微結晶ダイヤモンド膜のミクロ構造と光電気的性質

Microstructural and photoelectrical properties of oxygen-ion-implanted microcrystalline diamond films

著者 (2件)： Wang Fenghao (Coll. of Chemical Engineering and Material Sci., Zhejiang Univ. of Technol., Hangzhou) ,  Hu Xiaojun (Coll. of Chemical Engineering and Material Sci., Zhejiang Univ. of Technol., Hangzhou)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 62  号： 15  ページ： 158101-1-158101-7  発行年： 2013年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： Si-V発光中心を持つ微結晶ダイヤモンド膜のミクロ構造と光電気的性質に及ぼす酸素イオン線量とアニーリング温度の影響を系統的に調査した。結果は,高温アニールが酸素イオンが注入された微結晶ダイヤモンド膜でSi-Vルミネセンス強度を増加させる傾向がある。酸素イオン線量が10(14)から10(15)cm(-2)に増加すると,膜のSi-Vルミネセンス強度は増す。Hall効果測定は,膜の抵抗がアニーリング後に低くなる。異なったアニーリング温度では,より強力なSi-Vルミネセンス強度を持つ酸素イオンが注入された微結晶ダイヤモンド膜はより大きい抵抗を示し,Si-V発光中心が膜の導電性の強化に好ましくない。Raman分光法の結果は,膜の欠陥の増加がSi-Vルミネセンス強度を増して,膜の導電性を減少させる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： ダイヤモンド ,  微細構造 ,  *電気的性質 ,  アニオン ,  光起電力 ,  微結晶 ,  Raman分光法 ,  温度 ,  ルミネセンス ,  Hall効果 ,  線量評価 ,  被曝線量 ,  発光中心
準シソーラス用語： ミクロ構造 ,  酸素イオン ,  光電気 ,  アニーリング温度 ,  イオン線量

分類 (1件)： 非線形光学  (BD05000T)

タイトルに関連する用語 (6件)： 酸素イオン ,  注入 ,  微結晶 ,  ダイヤモンド膜 ,  ミクロ構造 ,  電気的性質