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J-GLOBAL ID：201402226606523521   整理番号：14A0511874

空孔変調伝導性酸化膜抵抗RAM(VMCO-RRAM):面積スケーリング可能スイッチング電流,自己準拠,高非線形と広いオン/オフウィンドウ抵抗スイッチングセル

Vacancy-Modulated Conductive Oxide Resistive RAM (VMCO-RRAM): An Area-Scalable Switching Current, Self-Compliant, Highly Nonlinear and Wide On/Off-Window Resistive Switching Cell

著者 (19件)： GOVOREANU B. (imec, Leuven, BEL) ,  REDOLFI A. (imec, Leuven, BEL) ,  ZHANG L. (imec, Leuven, BEL) ,  ZHANG L. (K.U. Leuven, Leuven, BEL) ,  ADELMANN C. (imec, Leuven, BEL) ,  POPOVICI M. (imec, Leuven, BEL) ,  CLIMA S. (imec, Leuven, BEL) ,  HODY H. (imec, Leuven, BEL) ,  PARASCHIV V. (imec, Leuven, BEL) ,  RADU I.P. (imec, Leuven, BEL) ,  RADU I.P. (K.U. Leuven, Leuven, BEL) ,  FRANQUET A. (imec, Leuven, BEL) ,  LIU J.-C. (imec, Leuven, BEL) ,  LIU J.-C. (K.U. Leuven, Leuven, BEL) ,  SWERTS J. (imec, Leuven, BEL) ,  RICHARD O. (imec, Leuven, BEL) ,  BENDER H. (imec, Leuven, BEL) ,  ALTIMIME L. (imec, Leuven, BEL) ,  JURCZAK M. (imec, Leuven, BEL)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2013  ページ： 256-259  発行年： 2013年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 新しい高度に非線形で自己準拠なRRAMセル構造について報告する。このRRAMは,5nA/nm²の面積スケーリング設定電流密度を持ち,動作は±4V/10nsより小さく,オン/オフウインドウは>100xと広く,トンネル障壁層によって制御される。スイッチング積層膜は,一般的な高k誘電体を用いたALDプロセスに完全に基づいており,<10nmの厚みを持つ。これは,3D 縦型RRAMの必要条件を満たす。さらに,非線形性低電流動作の相互依存を指摘し,10nmセルサイズ領域における高信頼性μA未満電流動作のための面積スイッチングRRAMのスケーリング可能性を議論する。

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  *電気抵抗 ,  *空格子点 ,  酸化膜 ,  スケーリング【計数】 ,  スイッチング ,  非線形性 ,  電流電圧特性 ,  X線回折

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (12件)： 空孔 ,  変調 ,  酸化膜 ,  RAM ,  RRAM ,  面積 ,  スケーリング ,  スイッチング電流 ,  自己 ,  非線形 ,  抵抗スイッチング ,  セル