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J-GLOBAL ID：201402226728564318   整理番号：14A0254366

線幅100nm以下微細銅配線の結晶粒径分布評価 X線回折を用いた非破壊・迅速法による評価

著者 (2件)： 稲見隆 (茨城大) ,  大貫仁 (茨城大)
資料名： 検査技術  (Inspection Engineering (Tokyo))
巻： 19  号： 3  ページ： 6-10  発行年： 2014年03月01日 
JST資料番号： L3524A  ISSN： 1342-9825  CODEN： KGEIAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 銅は,超LSI用配線材として広く使用されているが,配線寸法の微細化伴い,配線の結晶粒径が銅における平均自由行程(39nm)と同程度まで微細化不均一化することにより,銅配線の電気抵抗率が上昇し,配線遅延がトランジスタ遅延に比較して無視できなくなり,LSIの性能を阻害する。抵抗率低減のために均一粗大結晶粒組織を持つ微細銅配線が必要となり,結晶粒径制御・評価が解決すべき大きな課題となっている。筆者らは,微細銅配線が焼鈍後であっても強い(111)配向をもつことから,線幅100nm程度の微細銅配線でも解析可能な強度のX線回折ピークが得られると考え,精密に測定された回折ピークファイルのFourier解析を用いたWarren-Averbach法により結晶粒径解析を行ない,STEMによる評価と同程度の精度を得たので,迅速な非破壊評価法として紹介する。

シソーラス用語： *超LSI ,  *配線 ,  電気材料 ,  Fourier解析 ,  *結晶粒径 ,  遅れ ,  遅延特性 ,  評価 ,  非破壊検査 ,  *X線回折 ,  幅 ,  銅
準シソーラス用語： 銅配線 ,  配線材料 ,  配線遅延 ,  配線幅 ,  非破壊評価

分類 (4件)： 集積回路一般  (NC03161C) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  X線回折法  (BK01020I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 線幅 ,  微細 ,  銅配線 ,  結晶粒径 ,  分布 ,  評価 ,  X線回折