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J-GLOBAL ID：201402226856231224   整理番号：14A0299000

リンイオン注入ZnOナノロッドの光学的性質に及ぼす高繰り返し速度パルスレーザを用いたレーザアニーリングの効果

Effect of laser annealing using high repetition rate pulsed laser on optical properties of phosphorus-ion-implanted ZnO nanorods

著者 (9件)： SHIMOGAKI Tetsuya (Kyushu Univ., Dep. of Information Sci. and Electrical Engineering, West 2, 530-1, 744 Motooka, Nishi-ku, 819-0395 ...) ,  OFUJI Taihei (Kyushu Univ., Dep. of Information Sci. and Electrical Engineering, West 2, 530-1, 744 Motooka, Nishi-ku, 819-0395 ...) ,  TETSUYAMA Norihiro (Kyushu Univ., Dep. of Information Sci. and Electrical Engineering, West 2, 530-1, 744 Motooka, Nishi-ku, 819-0395 ...) ,  OKAZAKI Kota (Kyushu Univ., Dep. of Information Sci. and Electrical Engineering, West 2, 530-1, 744 Motooka, Nishi-ku, 819-0395 ...) ,  HIGASHIHATA Mitsuhiro (Kyushu Univ., Dep. of Information Sci. and Electrical Engineering, West 2, 530-1, 744 Motooka, Nishi-ku, 819-0395 ...) ,  NAKAMURA Daisuke (Kyushu Univ., Dep. of Information Sci. and Electrical Engineering, West 2, 530-1, 744 Motooka, Nishi-ku, 819-0395 ...) ,  IKENOUE Hiroshi (Kyushu Univ., Dep. of Information Sci. and Electrical Engineering, West 2, 530-1, 744 Motooka, Nishi-ku, 819-0395 ...) ,  ASANO Tanemasa (Kyushu Univ., Dep. of Information Sci. and Electrical Engineering, West 2, 530-1, 744 Motooka, Nishi-ku, 819-0395 ...) ,  OKADA Tatsuo (Kyushu Univ., Dep. of Information Sci. and Electrical Engineering, West 2, 530-1, 744 Motooka, Nishi-ku, 819-0395 ...)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 114  号： 2  ページ： 625-629  発行年： 2014年02月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： リンイオン注入酸化亜鉛ナノロッドの光学的性質に及ぼすKrFエキシマレーザによる高繰り返し速度パルスレーザアニーリングの効果を研究した。リンイオン注入酸化亜鉛ナノロッドの回復レベルを光ルミネセンススペクトルと陰極線ルミネセンス像によって測定した。陰極線ルミネセンスは25kVの加速電圧でのイオン注入によって引き起こされた損傷のために表面下の300nmにわたって消滅した。アニーリングをKrFエキシマレーザの低繰返し速度で行った時,陰極線ルミネセンスは表面下の浅い領域においてのみ回復した。アニール領域の深さはアニーリングレーザの繰返し速度とともに増加した。繰返し速度,照射フルエンス,などのアニーリング条件の最適化によって300nmの深さにわたっての全損傷領域のアニーリングと陰極線ルミネセンスの観測に成功した。かくして,リンイオン注入酸化亜鉛ナノロッドの高繰り返しパルスレーザアニーリングの有効性が実証された。Copyright 2013 Springer-Verlag Berlin Heidelberg Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *イオン注入 ,  *リン ,  *ナノロッド ,  *パルスレーザ ,  *レーザアニーリング ,  *光ルミネセンス ,  *陰極線ルミネセンス ,  *照射損傷 ,  化合物半導体 ,  フルエンス ,  紫外発光スペクトル ,  結晶度 ,  酸化亜鉛ナノロッド
準シソーラス用語： ZnOナノロッド ,  レーザフルエンス

分類 (3件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  レーザ照射・損傷  (BK16040S) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (7件)： リンイオン ,  注入 ,  ZnOナノロッド ,  光学的性質 ,  繰り返し速度 ,  パルスレーザ ,  レーザアニーリング