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J-GLOBAL ID：201402227400789920   整理番号：14A1041154

超高次非線形誘電顕微鏡観察を用いたSiCパワー二重拡散金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの横断面ドーパントプロフィルと空乏層の可視化

Cross-sectional dopant profiling and depletion layer visualization of SiC power double diffused metal-oxide-semiconductor field effect transistor using super-higher-order nonlinear dielectric microscopy

著者 (3件)： CHINONE N. (Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN) ,  NAKAMURA T. (ROHM Co., Ltd., 21 Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto 615-8585, JPN) ,  CHO Y. (Res. Inst. of Electrical Communication, Tohoku Univ., Aoba-ku, Sendai 980-8577, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 116  号： 8  ページ： 084509-084509-7  発行年： 2014年08月28日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *炭化ケイ素 ,  *MOS構造 ,  *ドーパント ,  *空乏層 ,  *可視化 ,  *顕微鏡観察 ,  誘電体 ,  高次元 ,  非線形性 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  横断面
準シソーラス用語： 二重拡散

分類 (5件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  格子欠陥一般  (BK12010J) ,  顕微鏡法  (BK01040E) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (12件)： 非線形 ,  顕微鏡観察 ,  SiC ,  パワー ,  二重拡散 ,  酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  横断面 ,  ドーパント ,  プロフィル ,  空乏層 ,  可視化