文献

J-GLOBAL ID：201402229705000947   整理番号：14A0079442

ピークEIRPが3~4dBの0.39~0.44THz 2x4増幅器-電圧4倍器アレイ

A 0.39-0.44THz 2×4 Amplifier-Quadrupler Array With Peak EIRP of 3-4dBm

著者 (3件)： COLCUK Fatih (Univ. California San Diego, CA, USA) ,  GURBUZ Ozan Dogan (Univ. California San Diego, CA, USA) ,  REBEIZ Gabriel M. (Univ. California San Diego, CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques  (IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques)
巻： 61  号： 12,Pt.2  ページ： 4483-4491  発行年： 2013年12月 
JST資料番号： C0229A  ISSN： 0018-9480  CODEN： IETMAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 誘電体レンズなしで420GHzにおいて3dBm以上の等価等方放射電力(EIRP)を発生できる増幅器-逓倍器アレイを紹介した。チップは,45nmのCMOSシリコン・オン・インシュレーター(SOI)工程を使って作製した。伝送線路損失が低く増幅器が使えるWバンド周波数においてRF信号を分配する構想に基づいている。信号は,電圧4倍器を使って平面アンテナの直前で370~440GHzに変換される。この増幅器-逓倍器アレイ構想は2x4アレイで立証したが,Wバンドのスプリッターと増幅器を追加すればどのようなNxMアレイにも拡張できる。

シソーラス用語： *放射電力 ,  *CMOS構造 ,  *EHF波 ,  アレイ ,  *倍周器 ,  *アレイアンテナ ,  *半導体チップ ,  増幅器 ,  SOI構造 ,  スロットアンテナ ,  広帯域 ,  コプレーナ導波路 ,  バルン ,  サブミリ波 ,  アンテナ設計 ,  放射効率 ,  誘電体レンズ
準シソーラス用語： オンチップアンテナ ,  EIRP ,  スロットリングアンテナ

分類 (1件)： アンテナ  (ND06000M)

タイトルに関連する用語 (2件)： 増幅器 ,  アレイ