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J-GLOBAL ID：201402230139351913   整理番号：14A0061011

IrGeにおける低位フォノンにより誘起された強い電子-フォノン結合超伝導

Strong Electron-Phonon Coupling Superconductivity Induced by a Low-Lying Phonon in IrGe

著者 (3件)： HIRAI Daigorou (Princeton Univ., NJ, USA) ,  ALI Mazhar N. (Princeton Univ., NJ, USA) ,  CAVA Robert J. (Princeton Univ., NJ, USA)
資料名： Journal of the Physical Society of Japan  (Journal of the Physical Society of Japan)
巻： 82  号： 12  ページ： 124701.1-124701.5  発行年： 2013年12月15日 
JST資料番号： G0509A  ISSN： 0031-9015  CODEN： JUPSA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 過去に報告された超伝導体IrGeとRh_1-xIr_xGe固溶体の物理特性を調べた。IrGeは,等構造の1:1後期金属ゲルマナイドMGe(M=Rh,Pd,Ir,及びPt)の中で例外的に高い超伝導転移温度(T_c=4.7K)を持つ。比熱測定の結果から,IrGeは,他のMGe相に比べて低位のフォノンから生じる異常に低いDebye温度を持つことを明らかにした。比熱データのT_cにおける大きいジャンプは,IrGeが強結合超伝導体であることを明瞭に示している。Rh_1-xIr_xGe固溶体では,格子定数の異常な変化とDebye温度との関係が観測された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *イリジウム合金 ,  ゲルマニウム含有合金 ,  *電子-フォノン相互作用 ,  *超伝導 ,  *超伝導体 ,  ロジウム合金 ,  イリジウム含有合金 ,  パラジウム合金 ,  白金合金 ,  転移温度 ,  比熱 ,  Debye温度 ,  格子定数 ,  電気抵抗率
準シソーラス用語： 超伝導転移温度 ,  *強結合超伝導体

分類 (1件)： 金属系超伝導体の物性  (BM04022R)

タイトルに関連する用語 (4件)： フォノン ,  誘起 ,  電子-フォノン結合 ,  超伝導