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J-GLOBAL ID:201402230833982394   整理番号:14A0146961

ICカードヘの電磁波照射攻撃事例におけるフォールト生起プロセス

The Process by which Faults are Injected on Smart Cards Attacked by an Electromagnetic Irradiation Experiment
著者 (3件):
資料名:
巻: 113  号: 342(ISEC2013 73-82)  ページ: 25-31  発行年: 2013年12月04日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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暗号モジュールに部分的なフォールトを誘発し状況を観察することによりモジュール内部の暗号鍵を暴くフォールト攻撃は強力な攻撃方法であるため,その耐性評価法の確立が求められている。しかし,フォールト攻撃の可能性を机上で指摘した論文は多いが,実験による検証結果を示したものは極めて少ない。このため,実際にフォールトを誘発した環境,条件などに関する知見を集積することには意義がある。我々は電磁波照射によるフォールト攻撃評価環境を構築し,ブロック暗号AES(128ビット鍵)をソフトウェア実装した(特段の対策をしていない)接触型ICカードの動作中にフォールトを誘発し暗号鍵を求めることに成功し,鍵の抽出方法について報告を行った。しかしフォールトがどのようにして誘発されたかという物理的原因の特定は課題となっていた。今回,その物理的原因が特定できたため報告を行う。(著者抄録)
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