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J-GLOBAL ID:201402230881191790   整理番号:14A0091269

エッチングシリコンナノワイヤのチップ増強Ramanイメージングとナノ分光法

Tip-Enhanced Raman Imaging and Nano Spectroscopy of Etched Silicon Nanowires
著者 (5件):
資料名:
巻: 13  号: 10  ページ: 12744-12759 (WEB ONLY)  発行年: 2013年10月 
JST資料番号: U7015A  ISSN: 1424-8220  CODEN: SENSC9  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
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チップ増強ラマン分光法(TERS)により(100)シリコンウエハーを化学的にエッチングして得た単独或は重なっているシリコンナノワイヤのひずみの影響を調べた。銀薄層を被覆したナノ結晶ダイアモンド原子間力顕微鏡チップで,532nmの励起光により[100]シリコンナノワイヤの一次光学フォノンモードを調べた。シリコンの一次フォノンの周波数シフトと広幅化を解析し,顕微鏡カバーガラス上で直線,曲がっている,或は重なった形状に配置したシリコンナノワイヤのハッキリした形状のトポロジカル測定を行った。TERSの空間分解能はナノ結晶ダイアモンド探針から得たトポグラフィーと近く,種々のナノワイヤの形状に対し僅かに変化したスペクトルを得た。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
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固体デバイス材料  ,  半導体の赤外スペクトル及びRaman散乱・Ramanスペクトル 
タイトルに関連する用語 (3件):
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