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J-GLOBAL ID：201402230910376087   整理番号：14A0535473

III-V CMOSフォトニックプラットフォームを用いた低漏話2×2InGaAsP光細線光スイッチ

Low-crosstalk 2×2 InGaAsP Photonic-wire Optical Switches using III-V CMOS Photonics Platform

著者 (8件)： IKKU Y. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  YOKOYAMA M. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  NOGUCHI M. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  ICHIKAWA O. (Sumitomo Chemical Co. Ltd., Tsukuba, JPN) ,  OSADA T. (Sumitomo Chemical Co. Ltd., Tsukuba, JPN) ,  HATA M. (Sumitomo Chemical Co. Ltd., Tsukuba, JPN) ,  TAKENAKA M. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  TAKAGI S. (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
資料名： IET Conference Publications  (IET Conference Publications)
巻： 622 Vol.2  ページ： 943-945  発行年： 2013年 
JST資料番号： B0665A  ISSN： 0537-9989  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siフォトニクスプラットフォームを使用した光スイッチは,オンチップ光ネットワーク(ONoC)を含む光インタコネクトのキー部品の一つと考えられている。本論文では,低漏話の2×2InGaAsP光細線Mach-Zehnder干渉計(MZI)型光スイッチを試作実証した。p+-InGaAsPを形成するために,イオン注入の代わりに固相Zn拡散を用いてp-i-n接合の接点抵抗を約1桁低減させることができた。このようにして漏話が-30dBと低く,約2Vのバイアス電圧で動作する2×2光スイッチが実現した。InGaAsPのリブ導波路の乾式エッチング工程の最適化により,MZIスイッチの挿入損を17dB減少させることができ,その結果12.5Gb/s光信号のビット誤り率(BER)が10^-9以下のエラーフリースイッチングが2dB以下のパワーペナルティで実現した。

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *半導体 ,  *ヒ化リン化インジウムガリウム ,  *光スイッチ ,  Mach-Zehnder干渉計 ,  PIN接合 ,  誤り率 ,  伝送特性 ,  ペナルティ ,  漏話 ,  光導波路 ,  *CMOS
準シソーラス用語： III-V半導体 ,  *InGaAsP ,  エラーフリー ,  パワーペナルティ ,  ビット誤り率 ,  リブ導波路

分類 (4件)： その他の光伝送素子  (BD06040S) ,  半導体集積回路  (NC03162T) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  光通信方式・機器  (ND10000B)

タイトルに関連する用語 (4件)： CMOS ,  漏話 ,  細線 ,  光スイッチ