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J-GLOBAL ID：201402231126924937   整理番号：14A0142036

高分子犠牲膜を要しない自立LbL膜の新奇作製法

著者 (3件)： 山下達也 (東京理大 工) ,  遠藤洋史 (東京理大 工) ,  河合武司 (東京理大 工)
資料名： 色材研究発表会講演要旨集  (色材協会研究発表会講演要旨集)
巻： 2013 (CD-ROM)  ページ： ROMBUNNO.2B03  発行年： 2013年10月24日 
JST資料番号： L2123A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *薄膜成長 ,  *Langmuir-Blodgett膜 ,  陽イオン界面活性剤 ,  NaPSS ,  ポリジアリルジメチルアンモニウムクロリド ,  ポリエチレンイミン ,  *高分子薄膜 ,  高分子電解質 ,  高分子鎖
準シソーラス用語： *LBL成長

分類 (2件)： 界面化学一般  (CB12010J) ,  高分子溶液の物理的性質  (CG02013S)

物質索引 (1件)： ジオクタデシルジメチルアンモニウムクロリド

タイトルに関連する用語 (4件)： 高分子 ,  犠牲 ,  自立 ,  作製法