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J-GLOBAL ID：201402231166514103   整理番号：14A1087503

III-V化合物半導体トランジスタ 平面状構造からナノワイヤ構造へ

III-V compound semiconductor transistors-from planar to nanowire structures

著者 (4件)： RIEL Heike (IBM Res., CHE) ,  WERNERSSON Lars-Erik (Lund Univ., SWE) ,  HONG Minghwei (National Taiwan Univ., TWN) ,  DEL ALAMO Jesus A. (Massachusetts Inst. Technol., USA)
資料名： MRS Bulletin  (MRS Bulletin)
巻： 39  号： 8  ページ： 668-677  発行年： 2014年08月 
JST資料番号： W1595A  ISSN： 0883-7694  CODEN： MRSBEA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siトランジスタの小型化が限界に達しつつある現状に鑑みて,本論文では,III-V化合物半導体トランジスタについて,平面状構造からナノワイヤ構造への変化を論じた。III-V化合物半導体は,優れた輸送特性とヘテロ構造の同調可能性との故に,nmスケールの論理トランジスタの実現の有望な候補である。小型化の実現には,平面状III-V金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)から,ナノワイヤFETなど三次元構造を有するトランジスタチャネルに向けた発展が,10nm超の相補型金属酸化物半導体(CMOS)ノードに対して必要であることを記した。

シソーラス用語： *化合物半導体 ,  *ナノワイヤ ,  *MOSFET ,  *トランジスタ ,  素子構造 ,  ナノ構造 ,  小型化 ,  MOS構造 ,  集積 ,  CMOS
準シソーラス用語： FinFET ,  *III-V族化合物半導体 ,  ナノワイヤFET ,  ヘテロ構造

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： III-V化合物半導体 ,  トランジスタ ,  ナノワイヤ