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J-GLOBAL ID：201402232345132520   整理番号：14A0077989

低温コンダクタンス測定によるSiO₂/SiC界面の伝導バンド端近傍の高速状態の評価

Characterization of very fast states in the vicinity of the conduction band edge at the SiO₂/SiC interface by low temperature conductance measurements

著者 (3件)： YOSHIOKA Hironori (Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyoto 615-8510, JPN) ,  NAKAMURA Takashi (Power Electronics R&D Center, Rohm Co., Ltd., Kyoto 615-8585, JPN) ,  KIMOTO Tsunenobu (Dep. of Electronic Sci. and Engineering, Kyoto Univ., Kyoto 615-8510, JPN)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 115  号： 1  ページ： 014502-014502-4  発行年： 2014年01月07日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *二酸化ケイ素 ,  *炭化ケイ素 ,  *界面 ,  *伝導バンド ,  *移動度 ,  *コンダクタンス ,  低温試験 ,  *表面準位 ,  一酸化窒素 ,  焼なまし ,  HF【周波数】 ,  状態密度 ,  温度 ,  断面積 ,  等価回路 ,  薄膜コンデンサ ,  温度依存性 ,  電圧
準シソーラス用語： MOSキャパシタ ,  ゲート電圧 ,  界面状態 ,  界面状態密度 ,  高移動度 ,  熱処理温度 ,  捕獲断面積

分類 (1件)： 13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (9件)： 低温 ,  コンダクタンス ,  SiO2 ,  SiC ,  界面 ,  伝導 ,  バンド端 ,  近傍 ,  評価