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J-GLOBAL ID:201402232697559191   整理番号:14A0289841

流体力学がCVDによるグラフェン成長に及ぼす効果

The Effect of Fluid Mechanics on Graphene Growths by Chemical Vapor Deposition
著者 (5件):
資料名:
巻: 8814  ページ: 88140A.1-88140A.7  発行年: 2013年 
JST資料番号: D0943A  ISSN: 0277-786X  CODEN: PSISDG  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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グラフェン(G)の成長時間強化を支援する方式でCVD系における流体力学を変更する研究に取組んだ。CVD系の流体力学の調整はG成長分野では比較的新しい。従来研究はガス比,温度,圧力,金属及びガス(メタン,アセチレン)調節に焦点があった。ここでは,系への添加使用を通してCVD系における乱流をより層流に変更した。添加は中心に小穴のハニカムクラスタを含むように加工した厚さ1インチの円形Al板である。系にAl板を静置し,中心にある穴のハニカムクラスタが入口から生じる気流を平滑にしてより層流を生み出す。板導入の二次結果は乱流混合室として働く左側板の小関与である。小穴を通して通過できないガスは高い混合割合を生じる乱流になる。混合は結果として以前の事例よりも一層均一ガス混合後CVD炉に流れる。ここで示したように,CVD系の流体力学を変えることは成長時間と成長結果を大幅に変えることができる。この方法によるG成長は一層小粒サイズであるが,驚異的成長時間縮減を有する。
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分類 (2件):
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