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J-GLOBAL ID：201402232771026150   整理番号：14A0279201

単結晶SnO₂ナノワイヤの合成及びキャラクタリゼーション

Synthesis and Characterization of Single-Crystalline SnO₂ Nanowires

著者 (8件)： WEI Dezhou (Northeastern Univ., Shenyang, CHN) ,  SHEN Yanbai (Northeastern Univ., Shenyang, CHN) ,  LI Mingyang (Northeastern Univ., Shenyang, CHN) ,  LIU Wengang (Northeastern Univ., Shenyang, CHN) ,  GAO Shuling (Northeastern Univ., Shenyang, CHN) ,  JIA Lijun (Northeastern Univ., Shenyang, CHN) ,  HAN Cong (Northeastern Univ., Shenyang, CHN) ,  CUI Baoyu (Northeastern Univ., Shenyang, CHN)
資料名： Journal of Nanomaterials (Web)  (Journal of Nanomaterials (Web))
巻： 2013  号： 6  ページ： ARTICLE ID 761498,1-6  発行年： 2013年 
JST資料番号： U7011A  ISSN： 1687-4110  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化すず(SnO₂)ナノワイヤは雰囲気圧力でArフロー中,900°Cにてすず粒子の熱蒸発で酸化シリコン基板上に合成された。X線回折及び透過型電子顕微鏡を用いる構造キャラクタリゼーションはSnO₂ナノワイヤが単結晶の正方晶構造を有することを示す。走査型電子顕微鏡観察はSnO₂ナノワイヤが30~200nmの径及び数十μmの長さを有することを示す。565.1cm^-1にてナノサイズ効果から結果的に得た表面振動モードはFourier変換赤外スペクトルから見出された。SnO₂ナノワイヤの形成は気相-固相(VS)成長機構に従う。ガスセンシング測定はSnO₂ナノワイヤガスセンサが150°Cの低い操作温度で最高度の感度を得て,室温~300°Cの操作温度でH₂ガス(100~1000ppm)に可逆的な応答を示すことを表わす。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *単結晶 ,  *酸化スズ ,  *ナノワイヤ ,  *真空蒸着 ,  基板 ,  *蒸着膜 ,  正方晶系 ,  粒度分布 ,  サイズ効果 ,  表面振動 ,  FTIR分光法 ,  *水素 ,  *ガスセンサ ,  結晶成長 ,  モルフォロジー ,  温度 ,  感度 ,  温度依存性
準シソーラス用語： シリカ基板 ,  操作温度

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単結晶 ,  ナノワイヤ ,  キャラクタリゼーション