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J-GLOBAL ID：201402235043393960   整理番号：14A0354527

GaAsダイオード構造におけるコヒーレントLOフォノンからのテラヘルツ電磁波発生の電圧制御

著者 (5件)： 中山正昭 (大阪市大 大学院) ,  浅井聡太 (大阪市大 大学院) ,  竹内日出雄 (大阪市大 大学院) ,  市川磨 (住友化学 情報電子化研) ,  秦雅彦 (住友化学 先端材料研)
資料名： 日本物理学会講演概要集  (日本物理学会年次大会講演概要集)
巻： 69  号： 1 第4分冊  ページ： 755  発行年： 2014年03月05日 
JST資料番号： S0671B  ISSN： 1342-8349  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,  *フォノン ,  電磁波 ,  *電磁波放射 ,  電圧制御 ,  ダイオード ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  テラヘルツ波 ,  コヒーレントフォノン ,  *縦光学フォノン
準シソーラス用語： *LOフォノン

分類 (1件)： 結晶中のフォノン・格子振動  (BL03020Z)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaAs ,  ダイオード ,  コヒーレント ,  LOフォノン ,  テラヘルツ電磁波 ,  電圧制御