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J-GLOBAL ID：201402236340895946   整理番号：13A1733540

InAs/GaSbのII型超格子赤外検出器材料でのICPエッチング

ICP etching in InAs/GaSb type II superlattice infrared detector material

著者 (5件)： Chen Yongyuan (Lab. of Beijing Photoelectron Technol.,Beijing Univ. of Technol., Beijing) ,  Deng Jun (Lab. of Beijing Photoelectron Technol.,Beijing Univ. of Technol., Beijing) ,  Shi Yanli (Kunming Inst. of Physics, Kunming) ,  Miao Pei (Lab. of Beijing Photoelectron Technol.,Beijing Univ. of Technol., Beijing) ,  Yang Lipeng (Lab. of Beijing Photoelectron Technol.,Beijing Univ. of Technol., Beijing)
資料名： Hongwai yu Jiguang Gongcheng  (Hongwai yu Jiguang Gongcheng)
巻： 42  号： 2  ページ： 433-437  発行年： 2013年 
JST資料番号： C2521A  ISSN： 1007-2276  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： Cl_2/アルゴンとSiCl_4/アルゴンによるInAs/GaSbの型II超格子赤外検出器材料での誘導結合プラズマ(ICP)エッチングを研究した。この結果,エッチング深さは,両エッチング気体においてエッチング時間に対して線形になることを示した。エッチングレートは,ある条件で100nm/minであった。RF電力50W,SiCl_4流量3sccm,アルゴン9sccm,標準圧力2mTorrであった。エッチングレートはドーピング濃度に依存しなかった。エッチング気体としてSiCl_4/アルゴンを利用した場合,アルゴン流動ゆらぎはエッチングレートに影響をしなかった。しかし,この条件はCl_2/アルゴンに存在した。特に,3sccmのアルゴン流動において,アルゴン流動の低減でエッチングレートが低減した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST

シソーラス用語： 加工速度 ,  *エッチング ,  *誘導結合プラズマ ,  ドーピング ,  *赤外検出器 ,  電磁結合 ,  超格子 ,  *ヒ化インジウム ,  *アンチモン化ガリウム ,  *光学材料 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： エッチングレート ,  誘導結合

分類 (2件)： 赤外・遠赤外領域の測光と光検出器  (BD07032W) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： InAs ,  GaSb ,  超格子 ,  赤外検出器 ,  ICP ,  エッチング