{{ $t("message.ADVERTISEMENT") }}
{{ $t("message.AD_EXPIRE_DATE") }}2024年03月
文献
J-GLOBAL ID:201402236352346743   整理番号:14A1236160

RFスパッターしたβ-FeSi2膜の特性に及ぼす堆積中の温度プログラムの影響

Influence of Temperature Program during Deposition on Properties of RF-Sputtered β-FeSi2 Films
著者 (3件):
資料名:
巻: 39  号:ページ: 353-356  発行年: 2014年09月 
JST資料番号: L4468A  ISSN: 1382-3469  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
FeSi3ターゲットを使用してRFスパッタリング法でSi(100)基材にFeSix膜を堆積した。全ての場合に全堆積時間は30分とした。堆積の際にはいろいろな温度プログラムを使用した。堆積後にFeSixをArガス中で10分間400~900°Cで焼鈍した。膜の結晶品質をX線回折で分析し,β-FeSi2膜の表面を光学顕微鏡で観察し,膜厚を走査型電子顕微鏡で測定した。β-FeSi2膜の表面の亀裂を減少するには堆積の初めの段階のほんの5分間の基材の加熱だけで十分であることが判明した。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜  ,  セラミック・磁器の性質 
タイトルに関連する用語 (2件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る