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J-GLOBAL ID：201402236646364340   整理番号：14A0413223

低炭素ドープGaN層の複数の欠陥状態とそのAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ動作との相関関係

A study on multiple defect states in low-carbon doped GaN layers and its correlation with AlGaN/GaN high electron mobility transistor operation

著者 (5件)： TANAKA Takeshi (Graduate School of Electrical and Electronics Engineering, Univ. of Fukui, JPN) ,  TANAKA Takeshi (Engineering Dept., Compound Semiconductor Products Business Unit, Cable Materials Co., Hitachi Metals, Ltd. ...) ,  SHIOJIMA Kenji (Graduate School of Electrical and Electronics Engineering, Univ. of Fukui, JPN) ,  OTOKI Yohei (Engineering Dept., Compound Semiconductor Products Business Unit, Cable Materials Co., Hitachi Metals, Ltd. ...) ,  TOKUDA Yutaka (Dep. of Electrical and Electronics Engineering, Aichi Inst. of Technol., JPN)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 557  ページ： 207-211  発行年： 2014年04月30日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 比較的低い濃度の炭素をドープした,GaNの欠陥状態に関する研究を示した。AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT)デバイスのチャネルに,1×10¹⁷cm^-3の炭素をドープしたとき,その動作に大電流崩壊を観測した。深い準位の過渡分光測定は,炭素の密度と浅いトラップ状態密度との間に正の相関および負の相関さえも示した。炭素の低濃度に加え,浅いトラップはHEMTの崩壊と関連づけることができなかった。フォトキャパシタンス測定は,炭素ドープGaNにおいて1.6および2.4eVの非常に深い準位で大きな信号を示した。特に,2.4eVの深いトラップはアクセプタ型であり,少数キャリアの過渡分光法でキャラクタライズできなかった,いくつかの間接的な状態に関係していると推定された。ドープされた炭素の20%は非常に深いトラップに配分され,大電流崩壊はこの炭素に関連した状態に起因するものと考えた。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *HEMT ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  *キャリア移動度 ,  *ドーピング ,  炭素 ,  *深い準位 ,  深準位過渡分光法 ,  静電容量 ,  崩壊
準シソーラス用語： *窒化ガリウムアルミニウム ,  電子移動度 ,  大電流崩壊 ,  フォトキャパシタンス

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 炭素 ,  ドープ ,  GaN ,  欠陥状態 ,  AlGaN ,  高電子移動度トランジスタ ,  相関関係