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J-GLOBAL ID：201402236994721831   整理番号：14A0425920

光ルミネセンスイメージングを用いた4H-SiCエピタキシャル層及び基板における転位の同定

Identification of dislocations in 4H-SiC epitaxial layers and substrates using photoluminescence imaging

著者 (3件)： KAWAHARA Chihiro (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SUDA Jun (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO Tsunenobu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53  号： 2  ページ： 020304.1-020304.3  発行年： 2014年02月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： n及びp型基板及びエピタキシャル層(エピ層)における転位を,光ルミネセンス(PL)イメージング技術を用いて明確に同定した。エピ層の転位は,赤外PL画像における大/小明スポット及び線を示し,貫通螺旋/エッジ転位(TSD/TED)あるいは基底面転位(BPD)にそれぞれ対応していた。対照的に,基板における転位は,赤外PL画像に大/小暗スポットあるいは暗線を示し,それぞれ,TSD/TEDあるいはBPDに対応していた。転位のこれらの異なる特徴(明/暗コントラスト)は,点欠陥あるいは不純物の異なる密度に起源をもつであろう。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *水素化 ,  *層 ,  *基板 ,  *転位【結晶】 ,  *刃状転位 ,  *光ルミネセンス ,  点 ,  線 ,  *点欠陥 ,  *不純物 ,  密度
準シソーラス用語： *エピタキシャル層 ,  *貫通螺旋転位 ,  *エッジ転位 ,  *基底面転位 ,  スポット【点】

分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  固体デバイス材料  (NC03020K) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

引用文献 (27件)：

• Y. Sugawara, D. Takayama, K. Asano, A. Agarwal, S. Ryu, J. Palmour, and S. Ogata, Proc. Int. Symp. Power Semiconductor Devices and ICs, 2004, p. 365.
• A. Agarwal, M. Das, S. Krishnaswami, J. Palmour, J. Richmond, and S.-H. Ryu, MRS Proc. 815, J1.1 (2004).
• S. G. Sundaresan, C. Sturdevant, M. Marripelly, E. Lieser, and R. Singh, Mater. Sci. Forum 717–720, 949 (2012).
• H. Niwa, J. Suda, and T. Kimoto, Appl. Phys. Express 5, 064001 (2012).
• L. Cheng, A. K. Agarwal, C. Capell, M. O’Loughlin, K. Lam, J. Zhang, J. Richmond, A. Burk, J. W. Palmour, A. A. Ogunniyi, H. K. O’Brien, and C. J. Scozzie, Mater. Sci. Forum 740–742, 978 (2013).

タイトルに関連する用語 (6件)： 光ルミネセンス ,  イメージング ,  4H-SiC ,  エピタキシャル層 ,  転位 ,  同定