文献

J-GLOBAL ID：201402237489439222   整理番号：14A0904950

IBAD/PLDプロセスによる,3T,77Kにおいて141A/cm-wをもつEu₁Ba₂Cu₃O_7-δ+BaHfO₃コーティドコンダクタの作製

Fabrication of Eu₁Ba₂Cu₃O_7-δ+BaHfO₃ coated conductors with 141A/cm-w under 3T at 77K using the IBAD/PLD process

著者 (6件)： YOSHIDA T. ,  IBI A. ,  TAKAHASHI T. ,  YOSHIZUMI M. ,  IZUMI T. ,  SHIOHARA Y.
資料名： Physica C. Superconductivity and Its Applications  (Physica C. Superconductivity and Its Applications)
巻： 504  ページ： 42-46  発行年： 2014年09月15日 
JST資料番号： T0580A  ISSN： 0921-4534  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： BaZrO₃(BZO),BaSnO₃(BSO),BaHfO₃(BHO)ナノロッドなどの人工ピン止め中心を導入することは,磁場中臨界電流(I_c)を向上させるために有効である。特に,Gd₁Ba₂Cu₃O_7-δへのBHOドーピングが温度と磁場の広い範囲で,高い磁場中I_cを示すことが見出されている。さらに,BHOドーピングにより高磁場中特性と高い均一性をもつ長尺被覆導体(CC)の作製に成功した。しかし,超電導膜を3μm以上に厚くすると,I_cの増加は幾分飽和傾向を示す。本研究では,特に厚い膜における磁場中の性能を向上させるために,IBAD/PLD法を用いてEu₁Ba₂Cu₃O_7-δ(EuBCO)+BHO系という新しい組み合わせについて調べた。その結果,厚さ3.6μmのEuBCO+BHOが,77K,3Tの測定で141A/cm-wという非常に高い特性を示すことを見出した。この高い磁場中I_cの値は,仮ではあるが,厚い膜でもa-軸配向結晶粒が抑制されたことによると説明できた。77K,3Tの測定で,55.5A/cm-wをもつ200m長のEuBCO+BHOのCCおよび108A/cm-wをもつ93.7m長のCCの作製に成功した。Copyright 2014 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ユウロピウム化合物 ,  *バリウム化合物 ,  *銅化合物 ,  *酸化物 ,  *ハフニウム化合物 ,  *超伝導線 ,  *イオンビーム蒸着 ,  *レーザ蒸着 ,  臨界電流 ,  *臨界電流密度 ,  外部磁場 ,  *ドーピング ,  膜厚 ,  電流分布 ,  磁場効果 ,  *導体 ,  磁束ピン止め ,  テープ ,  *高温超伝導体 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  銅酸化物超伝導体
準シソーラス用語： *イオンビーム支援蒸着 ,  *被覆導体 ,  超伝導テープ

分類 (2件)： 超伝導材料  (BM04041W) ,  酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I)

タイトルに関連する用語 (5件)： IBAD ,  PLD ,  プロセス ,  Cm ,  作製