GaN HEMTの信頼性を制限するE<sub>C</sub>-0.57eVトラップの物理的理解に向けて

SASIKUMAR A.; CARDWELL D. W.; AREHART A. R.; LU J.; KAUN S. W.; KELLER S.; MISHRA U. K.; SPECK J. S.; PELZ J. P.; RINGEL S. A.

文献

J-GLOBAL ID：201402237961142182 整理番号：14A1224839

GaN HEMTの信頼性を制限するE_C-0.57eVトラップの物理的理解に向けて

Toward a physical understanding of the reliability-limiting E_c-0.57eV trap in GaN HEMTs

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資料名：
巻： 2014 Vol.1 ページ： 46-51 発行年： 2014年
JST資料番号： A0631A ISSN： 1541-7026 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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固体デバイス計測・試験・信頼性

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GaN HEMTの信頼性を制限するEC-0.57eVトラップの物理的理解に向けて

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