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J-GLOBAL ID：201402238260011462   整理番号：14A1239008

成長させたまま,およびアニーリング処理をしたn型とp型の変調ドープされたGaInNAs/GaAsの歪み量子井戸構造に関する磁気輸送特性の研究

Magnetotransport study on as-grown and annealed n- and p-type modulation-doped GaInNAs/GaAs strained quantum well structures

著者 (8件)： DOENMEZ OEmer (Istanbul Univ., Istanbul, TUR) ,  SARCAN Fahrettin (Istanbul Univ., Istanbul, TUR) ,  EROL Ayse (Istanbul Univ., Istanbul, TUR) ,  GUNES Mustafa (Istanbul Univ., Istanbul, TUR) ,  GUNES Mustafa (Adana Sci. and Technol. Univ., Adana, TUR) ,  ARIKAN Mehmet Cetin (Istanbul Univ., Istanbul, TUR) ,  PUUSTINEN Janne (Tampere Univ. Technol., Tampere, FIN) ,  GUINA Mircea (Tampere Univ. Technol., Tampere, FIN)
資料名： Nanoscale Research Letters (Web)  (Nanoscale Research Letters (Web))
巻： 9  号： 1  ページ： 9:141 (WEB ONLY)  発行年： 2014年12月 
JST資料番号： U7001A  ISSN： 1931-7573  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,磁気輸送測定によって,成長させたまま,およびアニーリング処理をしたn型とp型の変調ドープされたGa_1-xIn_xN_yAs_1-y(x=0.32,y=0,0.009および0.012)から成る歪み量子井戸(QW)構造における電子輸送特性に対するアニーリング処理および窒素誘起の欠陥の効果を研究した結果を報告する。強くて,明瞭なShubnikov-de-Haas(SdH)振動が,3Tの低磁場でも観察され,20Kまで存続することが分かった。その結果を利用して,有効質量,2Dキャリヤー密度,およびフェルミ・エネルギーを決定することができた。SdH振動の温度依存性の解析から,窒素濃度の増加に伴って,電子の有効質量が増大することが分かった。更に,希薄な窒化物に関する現在の理論でも,正孔の有効質量の変化は予測されない;正孔の有効質量の窒素濃度に対する依存性が見い出され,価電子帯に対する歪み誘起および閉じ込め誘起の効果に帰着できることが分かった。熱処理を行うと,電子および正孔の有効質量は変化する。全ての試料におけるドーピング密度は同じであるが,n型材料における窒素の伝導帯に及ぼす効果に起因する有効質量の増大の結果として,2D正孔密度に比べて2D電子密度が増大することが分かった。得られた結果から,有効質量と2Dキャリヤー密度は,窒素の組成量とアニーリングの影響で導入される欠陥によって調整可能であることが明らかになった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *量子井戸 ,  *変調ドーピング ,  *熱処理 ,  *ヒ化ガリウム ,  ヒ化物 ,  窒化物 ,  *ガリウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *電気抵抗 ,  欠陥 ,  Shubnikov-de Haas効果 ,  有効質量 ,  キャリア密度 ,  Fermi準位 ,  *磁気抵抗
準シソーラス用語： 歪量子井戸 ,  ひ化窒化インジウムガリウム ,  窒素誘起欠陥 ,  Fermiエネルギー

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (10件)： 成長 ,  アニーリング処理 ,  変調ドープ ,  GaInNAs ,  GaAs ,  歪み ,  量子井戸 ,  磁気 ,  輸送特性 ,  研究