文献

J-GLOBAL ID：201402238309453423   整理番号：14A0297490

逐次層間修飾を通したβヘリックス層状ケイ酸塩のAST型ゼオライトへのトポタクチック変換

Topotactic Conversion of β-Helix-Layered Silicate into AST-Type Zeolite through Successive Interlayer Modifications

著者 (5件)： ASAKURA Yusuke (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  TAKAYAMA Ryosuke (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  SHIBUE Toshimichi (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  KURODA Kazuyuki (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  KURODA Kazuyuki (Kagami Memorial Res. Inst. Materials Sci. and Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Chemistry - European Journal  (Chemistry - European Journal)
巻： 20  号： 7  ページ： 1893-1900  発行年： 2014年 
JST資料番号： W0744A  ISSN： 0947-6539  CODEN： CEUJED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 層間修飾とか焼を通してβヘリックス層状ケイ酸塩(HLS)からAST型ゼオライト(AZ)合成を報告した。AZ合成のため平板状HLSを用いた予備研究はHLSの直接か焼がAZを導かないので,HLSのトポタクチック変換を達成するため三段階法を適用した。プロトン化HLSを形成するため,塩酸/エタノールと引き続く2回のDMSO処理により層間水和Naイオンと空洞内テトラメチルアンモニウムイオン除去と同時DMSOインタカレーション(IC)を行なった。しかしながら,HLS-DMSO IC化合物は500°Cの熱処理によって非晶質相に単純変換された。ゲスト置換法によってIC化合物におけるHLS-DMSOをHLS-N,N-ジメチルプロピオンアミド(DPA)へ変えて,HLS-DPA IC化合物が層間縮合よるAZ形成を誘導する上で必須であった。層間Si-OH基とアミドのC=O基間の水素結合によりアミドがHLSの層間領域に残りDPAサイズはHLSの層間縮合が形成する[4⁶6¹²]ケージサイズにほぼ同じなので積層配列の同調性試薬としてDPAを選出した。

シソーラス用語： *合成ゼオライト ,  *ヘリックス構造 ,  *ケイ酸塩 ,  インターカレーション ,  *トポ化学反応 ,  か焼 ,  化学修飾 ,  プロトン化 ,  層間化合物 ,  水和 ,  熱処理 ,  非晶質 ,  縮合反応 ,  水素結合 ,  配位子交換 ,  包接化合物 ,  X線回折 ,  MASNMR ,  ケイ素29NMR ,  走査電子顕微鏡 ,  元素分析 ,  モル比 ,  熱重量分析 ,  反応機構 ,  脂肪族化合物 ,  スルホキシド ,  脂肪族アミン ,  第四アンモニウム ,  βヘリックス ,  加熱処理 ,  層状ケイ酸塩 ,  中間層 ,  ホスト-ゲスト錯体
準シソーラス用語： インターカレーション化合物 ,  ゼオライト【合成】 ,  ホスト-ゲスト包接錯体 ,  縮合 ,  層間化合物形成

分類 (1件)： 合成鉱物  (CD01040K)

物質索引 (3件)： DMSO ,  N,N-ジメチルプロピオンアミド ,  テトラメチルアンモニウム

タイトルに関連する用語 (5件)： 修飾 ,  βヘリックス ,  層状ケイ酸塩 ,  AST ,  ゼオライト