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J-GLOBAL ID：201402239961588051   整理番号：14A1293253

空気中におけるSiO_xランダムアクセスメモリ動作のための素子構造及び気密カプセル封じに関する議論

Discussion on device structures and hermetic encapsulation for SiO_x random access memory operation in air

著者 (7件)： ZHOU Fei (Microelectronics Res. Center, Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...) ,  CHANG Yao-feng (Microelectronics Res. Center, Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...) ,  WANG Yanzhen (Microelectronics Res. Center, Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...) ,  CHEN Yen-ting (Microelectronics Res. Center, Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...) ,  XUE Fei (Microelectronics Res. Center, Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...) ,  FOWLER Burt W. (PrivaTran, LLC, 1250 Capital of Texas Highway South, Bldg 3, Ste 400, Austin Texas 78746, USA) ,  LEE Jack C. (Microelectronics Res. Center, Dep. of Electrical and Computer Engineering, The Univ. of Texas at Austin, Austin ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 105  号： 16  ページ： 163506-163506-4  発行年： 2014年10月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  酸化ケイ素 ,  素子構造 ,  *カプセル封じ ,  *気密構造 ,  雰囲気 ,  *スイッチング
準シソーラス用語： *RRAM ,  *空気中 ,  *抵抗スイッチング

分類 (3件)： 記憶装置  (JC04060F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (6件)： 空気中 ,  ランダムアクセスメモリ ,  素子構造 ,  気密 ,  カプセル封じ ,  議論