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J-GLOBAL ID：201402241723437147   整理番号：14A0064758

ナノポーラス材料の新展開 アノード酸化ポーラスアルミナ皮膜を用いたシリコンのナノ構造制御

著者 (2件)： 小野幸子 (工学院大 工) ,  阿相英孝 (工学院大 工)
資料名： 表面技術  (Journal of the Surface Finishing Society of Japan)
巻： 65  号： 1  ページ： 18-23  発行年： 2014年01月01日 
JST資料番号： G0441B  ISSN： 0915-1869  CODEN： HYGIEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： アノード酸化ポーラスアルミナ皮膜は,単に金属への絶縁性・耐食性・装飾性付与の機能に留まらず,現在はナノデバイス作製など多用な分野で機能材料としての活用がなされている。本稿では,特に,シリコン上にスパッタ付与したAl薄膜のアノード酸化により形成したポーラスアルミナ皮膜の持つナノ構造と規則牲を活用したシリコン基板の微細加工に焦点を絞り,非リソグラフィー技術による半導体表面へのアスペクト比の高いナノポーラス規則構造の付与について解説する。これらの手法はシリコン以外の半導体にも適用可能であり,真空系など高度な装置を用いずに大面積の加工が可能であるという大きな利点がある。

シソーラス用語： 多孔質体 ,  *ウエハ【IC】 ,  固体素子 ,  *微細加工 ,  アノード酸化 ,  酸化アルミニウム ,  細孔構造 ,  アスペクト比 ,  自己組織化 ,  規則化 ,  パターン形成 ,  二酸化ケイ素 ,  金属触媒 ,  エッチング ,  銀めっき ,  無電解めっき ,  *ナノ構造
準シソーラス用語： ナノポーラス材料 ,  *シリコン基板 ,  ナノデバイス ,  アノード酸化アルミニウム ,  *構造制御 ,  高アスペクト比 ,  秩序構造 ,  ナノパターニング ,  ナノドットアレイ ,  ホールアレイ

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  化成処理  (WC08050J)

引用文献 (32件)：

• 1)小野幸子 ; 軽金属, 60, 333(2010).
• 2) F. Keller, M. S. Hunter, D. L. Robinson ; J. Electrochem. Soc., 100, 411 (1953).
• 3) H. Masuda, K. Fukuda ; Science, 268, 1466 (1995).
• 4) D. Crouse, Y.-H. Lo, A. E. Miller, M. Crouse ; Appl. Phys. Lett., 76, 49 (2000).
• 5) S. Shingubara, O. Okino, Y. Murakami, H. Sakaue, T. Takahagi ; J. Vac. Sci. Technol. B, 19, 1901 (2001).

タイトルに関連する用語 (7件)： ナノポーラス材料 ,  展開 ,  アノード酸化 ,  ポーラス ,  アルミナ皮膜 ,  シリコン ,  ナノ構造制御