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J-GLOBAL ID：201402242893950597   整理番号：14A0443178

多結晶シリコンナノドットの平衡形状

Equilibrium shapes of polycrystalline silicon nanodots

著者 (5件)： KORZEC M. D. (Dep. of Mathematics, Technische Universitaet Berlin, Strasse des 17. Juni 136, 10623 Berlin, DEU) ,  ROCZEN M. (Dep. of Physics, Humboldt-Universitaet zu Berlin, Newtonstrasse 15, 12489 Berlin, DEU) ,  SCHADE M. (Zentrum fuer Innovationskompetenz SiLi-nano, Martin-Luther-Universitaet Halle-Wittenberg ...) ,  WAGNER B. (Dep. of Mathematics, Technische Universitaet Berlin, Strasse des 17. Juni 136, 10623 Berlin, DEU) ,  RECH B. (Helmholtz-Zentrum Berlin, Inst. for Silicon Photovoltaics, Kekulestrasse 5, 12489 Berlin, DEU)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 115  号： 7  ページ： 074304-074304-12  発行年： 2014年02月21日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ナノ構造 ,  *ポリシリコン ,  *形態 ,  *平衡 ,  トポグラフィー【形態】 ,  アレイ ,  透過型電子顕微鏡 ,  アモルファスシリコン ,  表面エネルギー ,  エネルギー密度 ,  結晶粒界 ,  付着強さ ,  モルフォロジー ,  走査電子顕微鏡 ,  最適化 ,  数学的変換 ,  異方性 ,  *ナノドット ,  数値最適化 ,  離散化 ,  脱濡れ ,  改変
準シソーラス用語： ディウェッティング ,  ナノドットアレイ ,  最小化原理

分類 (2件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (2件)： 多結晶シリコン ,  ナノドット