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J-GLOBAL ID：201402244359954300   整理番号：14A1099807

金属強磁性体電極を持つInGaAs量子構造発光ダイオードのEL特性

著者 (8件)： 野村譲 (北大 大学院) ,  高山純一 (北大 大学院) ,  木場隆之 (北大 大学院) ,  AGUS Subagyo (北大 大学院) ,  山村隆文 (北大 大学院) ,  YANG Xiaojie (北大 大学院) ,  末岡和久 (北大 大学院) ,  村山明宏 (北大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 75th  ページ： ROMBUNNO.19A-A26-9  発行年： 2014年09月01日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  *量子ドット ,  *量子井戸 ,  *発光ダイオード ,  *エレクトロルミネセンス ,  *円偏光 ,  スピン分極 ,  *強磁性体 ,  赤外発光スペクトル ,  自己組織化 ,  化合物半導体 ,  *電極 ,  スペクトル線分裂 ,  *注入 ,  Zeeman分裂
準シソーラス用語： *スピン注入 ,  *強磁性電極

分類 (3件)： 発光素子  (NC03082G) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  電気光学効果,磁気光学効果  (BM08020L)

タイトルに関連する用語 (5件)： 強磁性体 ,  InGaAs ,  量子構造 ,  発光ダイオード ,  EL