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J-GLOBAL ID：201402244364395505   整理番号：13A1954980

進化を続ける次世代型ナノ分子磁石 高温動作する単分子磁石を目指して!!

著者 (3件)： 堀井洋司 ,  加藤恵一 ,  山下正廣
資料名： 化学  (Chemistry)
巻： 69  号： 1  ページ： 45-50  発行年： 2014年01月01日 
JST資料番号： F0095A  ISSN： 0451-1964  CODEN： KAKYAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 分子エレクトロニクスを実現するための必須の材料として期待されると共に,基礎科学的にも興味深い,単分子磁石が注目されている。単分子磁石の動作原理と最近の研究動向を紹介した。単分子磁石のデバイスへの応用を考えると,高温で動作するものの登場が求められている。ランタノイドイオン(Ln³⁺)間相互作用は,量子トンネリング(QTM)の抑制を行うにあたり非常に重要な要素となることが明らかにされ,現在の単分子磁石研究の主流はランタノイドイオンと有機ラジカル配位子のハイブリッドにより強いLn³⁺間相互作用を働かせることに主眼が置かれている。筆者らはフタロシアニン多重積層型Tb³⁺錯体に注目した。このQTMの分裂・収束のメカニズムについて述べた。導電性単分子磁石を用いたスピン依存伝導の観測に初めて成功し,今後は磁気抵抗発現の温度を上げることに加え,磁気抵抗比を大きくすることが課題である。

シソーラス用語： *磁性体 ,  *磁石 ,  ナノ構造 ,  高温 ,  マイクロエレクトロニクス ,  金属イオン ,  *テルビウム錯体 ,  イオン間相互作用 ,  トンネル効果 ,  *フタロシアニン錯体 ,  多層膜 ,  導電性 ,  電気伝導 ,  磁気抵抗
準シソーラス用語： スピン依存伝導 ,  研究動向 ,  多重積層 ,  *単分子磁石 ,  分子エレクトロニクス ,  *分子磁石 ,  量子トンネリング

分類 (3件)： 第3族元素の錯体  (CE01060J) ,  八員環以上の複素環化合物  (CF07120T) ,  分子の電気的・磁気的性質  (BH05032U)

タイトルに関連する用語 (5件)： 進化 ,  次世代 ,  分子磁石 ,  高温動作 ,  単分子磁石