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J-GLOBAL ID：201402245141442583   整理番号：14A0842544

技術一直線!トランジスタ工房 第6章 μsの超高速ON/OFF!劣化なしで微小~大電力をロスレス伝送 MOSFETで作るオン抵抗5mΩ,35V/18Aの無接点双方向リレー

著者 (1件)： 西村康
資料名： トランジスタ技術
巻： 51  号： 8  ページ： 112-122  発行年： 2014年08月01日 
JST資料番号： L3911A  ISSN： 0040-9413  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本章では,はじめに,「MOSFETリレー」のメリットである,1)ON/OFFを繰り返しても劣化しにくい,2)微小電流でも大電流でも信号ロスが小さい,3)ON/OFF駆動電力が小さい,4)数mm立方に納めることが可能である-について,メカ式リレーと比較しながら,これらの内容を解説した。続いて,MOSFETリレーが組み込まれたオーディオ・パワー・アンプ専用のプロテクション・モジュール「LV2-SPPM」を取りあげ,その基本的な回路構成などを紹介するとともに,本モジュールの性能(リレー部の破壊耐量など)を評価した実験の内容,および結果について報告した。

シソーラス用語： *スイッチ ,  双方向回路 ,  *MOSFET ,  *オン抵抗 ,  *オンオフ制御 ,  ワイヤボンディング ,  並列接続 ,  *保護継電器 ,  電力増幅器 ,  送電 ,  絶縁耐力 ,  駆動回路 ,  半導体チップ
準シソーラス用語： *無接点継電器

分類 (2件)： 継電器・スイッチ  (NA05060K) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： トランジスタ ,  微小 ,  大電力 ,  ロスレス ,  MOSFET ,  オン抵抗 ,  双方向 ,  リレー