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J-GLOBAL ID：201402245261227619   整理番号：14A0829262

金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタの有効チャネル長の再考察

Reconsideration of effective channel length for metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

著者 (3件)： TERADA Kazuo (Hiroshima City Univ., Hiroshima, JPN) ,  SANAI Kazuhiko (Hiroshima City Univ., Hiroshima, JPN) ,  TSUJI Katsuhiro (Hiroshima City Univ., Hiroshima, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 53  号： 6  ページ： 064303.1-064303.6  発行年： 2014年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属-酸化物-半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)の有効チャネル長(L_EFF)をゲート電圧の関数としてチャネル抵抗法により求めた。L_EFFはチャネルドーパント非一様性とゲート電圧により強く影響されることが観測された。これはまたソース-ドレイン接合と基板電圧に弱く影響された。これら特性を考察して,設計と技術のエンジニア両方に対して共通のチャネル長の解釈を行うため,新しいチャネル長の定義を提案した。これは一定であり,一様なチャネルのMOSFETに対する古典電流方程式に従う。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  長さ ,  電圧 ,  不純物分布 ,  ソース【半導体】 ,  ドレイン【半導体】
準シソーラス用語： *チャネル長 ,  ゲート電圧 ,  ドーピング分布

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (21件)：

• K. Terada and H. Muta, Jpn. J. Appl. Phys. 18, 953 (1979).
• J. Chern, P. Chang, R. Motta, and N. Godinho, IEEE Electron Device Lett. 1, 170 (1980).
• G. J. Hu, C. Chang, and Y. Chia, IEEE Trans. Electron Devices 34, 2469 (1987).
• K. Ng and J. Brews, IEEE Circuits Devices 6, 33 (1990).
• Y. Taur, D. Zicherman, D. Lombardi, P. Restle, C. Hsu, H. Nanafi, M. Wordeman, B. Davari, and G. Shahidi, IEEE Electron Device Lett. 13, 267 (1992).

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸化物 ,  電界効果トランジスタ ,  チャネル長