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J-GLOBAL ID：201402246551238327   整理番号：14A0380869

4H-SiC(11-20)上に4H-AlNゲート絶縁体をポリタイプ整合成長させた4H-SiC MISFET

4H-SiC MISFETs With 4H-AlN Gate Insulator Isopolytypically Grown on 4H-SiC (1120)

著者 (4件)： HORITA Masahiro (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  NOBORIO Masato (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  KIMOTO Tsunenobu (Kyoto Univ., Kyoto, JPN) ,  SUDA Jun (Kyoto Univ., Kyoto, JPN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 35  号： 3  ページ： 339-341  発行年： 2014年03月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ポリタイプ整合成長による4H-AlNをゲート絶縁体として用い,チャネル移動度とゲート漏れ電流を改善した4H-SiC MISFETを実証した。4H-SiC(11-20)上に4H-AlNをMBE成長させて得られる高品質界面をチャネルとして利用した。作製したMISFETを測定し,低ゲート漏れ電流(<10^-10A),ノーマリオン特性,および電界効果移動度0.5cm²V^-1s^-1を得た。

シソーラス用語： *MISFET ,  *炭化ケイ素 ,  *窒化アルミニウム ,  *酸化膜 ,  ポリタイプ ,  キャリア移動度 ,  漏れ電流 ,  MBE成長 ,  界面 ,  *ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  *ゲート絶縁体 ,  ゲート漏れ電流 ,  電界効果移動度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (7件)： 4H-SiC ,  AlN ,  ゲート絶縁体 ,  ポリタイプ ,  整合 ,  成長 ,  MISFET